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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

总分
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

总分
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Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    65 left arrow 77
    左右 16% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 13.6
    测试中的平均数值
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    5.6 left arrow 2,451.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 77
  • 读取速度，GB/s
    4,605.9 left arrow 13.6
  • 写入速度，GB/s
    2,451.8 left arrow 5.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    878 left arrow 1267

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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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