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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
67
77
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
77
读取速度,GB/s
6.8
13.6
写入速度,GB/s
3.6
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1267
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB RAM的比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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