RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB против Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,096.4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
60
Около -161% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.7
18.9
Скорость записи, Гб/сек
2,096.4
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3936
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link