RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,096.4
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
60
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,096.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2905
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link