RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,096.4
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
60
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,096.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2905
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link