RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
11.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1218
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link