RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
60
Около -173% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3169
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link