RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
61
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
61
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2089
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link