RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около -122% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3061
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link