RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3525
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link