RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
60
Около -140% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
20.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3886
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link