Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,168.2 13.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 60

Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 29
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 17.9
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 3311

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB

Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB

Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

модули RAM