RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
60
Около -82% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2825
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link