RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
60
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3394
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link