RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3316
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link