RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
60
Около -22% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
49
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2589
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link