RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
23.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
4114
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link