RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
60
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2332
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link