RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
12.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2619
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link