RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около -122% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
23.7
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
19.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
4243
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link