RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3741
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link