RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2323
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link