RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
67
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
67
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2030
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link