RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston 9965589-037.D00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
60
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2091
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link