Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,168.2 11.3

Среднее значение в тестах

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 60

Около -62% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 37
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 2765

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-074.A00LF 8GB

Kingston 9905471-074.A00LF 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

модули RAM