RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
60
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
47
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
11.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2227
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.D8F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link