RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
60
Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2495
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link