RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
68
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
68
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2007
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link