RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около -122% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
12.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2785
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link