RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
60
Около -140% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2781
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link