RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3465
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link