RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3731
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link