RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2779
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link