RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2779
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link