RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2403
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link