RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
4084
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link