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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,806.8
20.6
写入速度,GB/s
2,784.6
16.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
4084
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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