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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
差异
规格
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
13.2
16.4
写入速度,GB/s
9.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2660
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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