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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
11.6
9.6
写入速度,GB/s
7.3
5.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
1839
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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