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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
4,595.2
15.5
写入速度,GB/s
2,168.2
9.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2612
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
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