RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2373
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link