RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2695
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link