RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2695
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link