RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Сравнить
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB против Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
52
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,906.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,672.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,906.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
698
3071
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link