RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
74
77
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
74
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1344
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link