RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3573
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link