Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 12.1

Среднее значение в тестах

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 77

Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 16.7
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3090

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

модули RAM