RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3187
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link