RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
77
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
69
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1794
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link