RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2809
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link