RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
77
Около -353% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
17
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
20.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3623
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link