RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2881
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link